1.本發(fā)明涉及濕法冶金技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種生產(chǎn)電積鈷的方法。

背景技術(shù)：

2.目前，電積鈷的生產(chǎn)以氯化體系為主，電積過程中會產(chǎn)生大量的cl2，稍有不慎即會造成cl2泄露，不僅會對環(huán)境造成重大污染，同時嚴(yán)重影響生產(chǎn)人員的身體健康，同時還會縮短生產(chǎn)電積鈷設(shè)備的使用年限。與氯化體系生產(chǎn)電積鈷相比，采用電積coso4生產(chǎn)電積鈷的方法不會產(chǎn)生cl2，但存在鈷板質(zhì)量較差，電流效率較低的缺陷。

3.其中，專利cn101532095公開了一種非鹽酸電解質(zhì)生產(chǎn)電積鈷的方法，該專利制取的cocl2溶液通過萃取轉(zhuǎn)型、脫氯、除油之后才得到電解液，存在工序長、生產(chǎn)成本高的缺點；

4.專利cn102206761公開了一種生產(chǎn)高純鈷的方法，該方法在電積前先通過離子交換去除電解液中的fe和ni，電積出來的鈷板再通過真空熔煉的方法得到鈷錠，該方法存在工序長、設(shè)備復(fù)雜、生產(chǎn)成本高的缺點；

5.專利cn103436913公開了一種電積鎳或電積鈷的裝置，該裝置在電積槽內(nèi)設(shè)置有陰極框和陽極框，在陰極框和陽極框之間設(shè)置了滲透膜，極板框會占據(jù)一定的空間，減小電積槽的有效體積，從而降低了產(chǎn)能；此外，該專利公開的滲透膜材質(zhì)為滌綸短纖，具有一定的局限性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

6.基于現(xiàn)有技術(shù)存在的問題和不足，本發(fā)明提供了一種生產(chǎn)電積鈷的方法，用于改善操作環(huán)境，降低對設(shè)備的腐蝕，減少原材料的消耗、提高電流效率等。

7.具體技術(shù)方案如下：

8.一種生產(chǎn)電積鈷的方法，其特征在于，包括如下步驟：

9.s1，浸出、除鐵：鈷原料經(jīng)破碎、球磨后用h2so4和so2浸出，得到coso4浸出液，浸出液除鐵后得到除鐵后液；所述除鐵后液中fe濃度小于1mg/l，以減輕萃取工序的負(fù)擔(dān)。

10.s2，萃?。撼F后液經(jīng)p204萃雜工序除去溶液中雜質(zhì)元素，除雜后的萃余液進入p507萃鈷工序，用硫酸或電積后液反萃得到純凈的coso4溶液，所述coso4溶液中鈷離子濃度為60～100g/l，電解液中鈷離子的濃度越大，有利于生成致密的陰極沉積物，減少氫離子放電，有利于提高電流密度，但鈷離子濃度過大，會得到暗色的海綿狀陰極沉積物，工業(yè)上電積液中鈷離子濃度一般為60～100g/l，而這種濃度容易得到優(yōu)質(zhì)的電積鈷產(chǎn)品。

11.s3，深度凈化：采用萃取法或離子交換法進一步除去coso4溶液中的少量雜質(zhì)，并對coso4溶液進行深度除油，深度凈化不徹底，相應(yīng)的電積鈷中的雜質(zhì)含量會隨之升高，影響電積鈷質(zhì)量。深度凈化后得到的coso4溶液中各金屬雜質(zhì)離子的濃度均達到電解液標(biāo)準(zhǔn)，有機物含量小于10ppm。有機物主要是萃取工序夾帶的有機相，主要是磺化煤油，少量的萃取劑p204和p507。

12.s4，電解液的配置：深度凈化后的coso4溶液加入添加劑，得到電積前液；所述添加劑為硼酸、十二烷基磺酸鈉、瓜爾膠中的至少一種。

13.加入合適的添加劑是獲得結(jié)構(gòu)致密、表面光滑、雜質(zhì)含量少的電積產(chǎn)品的有效措施之一。

14.電積鈷時，加入一定量的硼酸能改善電鈷質(zhì)量，這是因為在電積過程中，陰極氫氣的析出不可避免，陰極表面的電解液ph值上升，導(dǎo)致金屬離子水解，形成堿式鹽沉淀吸附在陰極表面而影響產(chǎn)品質(zhì)量。當(dāng)電解液中加入硼酸后，由于它是一種弱酸，在溶液中存在電離平衡，若溶液的ph升高時，它便電離出h

+

，以維持電解液ph值的穩(wěn)定。

15.電積鈷生產(chǎn)實踐表明，硼酸濃度低于2g/l時，緩沖作用較弱，當(dāng)其含量達到2g/l時，緩沖作用方始顯著，所以硼酸濃度控制在2～20g/l范圍內(nèi)。由于常溫下硼酸的溶解度為40g/l，所以當(dāng)硼酸含量過于偏高時，會降低陰極電流效率，在溫度低時易結(jié)晶析出，造成電積鈷板表面粗糙、毛刺和原材料的浪費。硼酸在電積過程中，不僅起穩(wěn)定ph值的緩沖作用，而且能擴大陰極光亮電流密度范圍，以使用較高的電流密度，并使鈷板結(jié)晶細(xì)致，不易燒焦。另外，由于硼酸的離解作用，有利于抑止硫酸鈷的水解，使電沉積反應(yīng)的順利進行。

16.十二烷基磺酸鈉是一種親水表面活性物質(zhì)，在水中容易離解成磺酸根離子和鈉離子，磺酸根離子易與co

2+

形成絡(luò)合離子，放電速度變慢導(dǎo)致陰極極化值增加，晶格成長變慢，能有效改善和抑制極板疏松多孔的現(xiàn)象，減少突起顆粒，使電鈷表面平整，物理性能良好，同時可以降低電鈷中的鐵含量。加入量過多時，電鈷表面往往呈粉狀，且易脫落，表面質(zhì)量會變差。十二烷基磺酸鈉濃度太低時，對電鈷物理性能的改善不明顯；濃度過高時，電鈷表面往往呈粉狀，且易脫落，表面質(zhì)量會變差。

17.瓜爾膠的加入可增大陰極極化電位而使電積鈷表面光滑平整。其作用機理可能為：

①

瓜爾膠分子在電積液中解離為帶正電荷的膠質(zhì)根，膠質(zhì)根在電流作用下靠近陰極并吸附在陰極表面上，形成導(dǎo)電性能較差的膠膜使陰極極化電位升高；

②

瓜爾膠在電積液中與鈷離子形成絡(luò)合陽離子，在陰極活性區(qū)首先發(fā)生絡(luò)合離子的分解釋放出游離態(tài)鈷離子，然后在陰極上析出電鈷，延緩了鈷離子在陰極的放電速度。瓜爾膠濃度為2～10mg/l。瓜爾膠濃度較高時，可增加陰極極化，鈷離子在陰極放電困難從而達到降低電鈷沉積速度的目的。當(dāng)瓜爾膠濃度過低時，不足以形成導(dǎo)電性差的膠狀膜，瓜爾膠濃度太高時，則會生成硫化物的生長中心，而且使沉積物表面粗糙，出現(xiàn)條紋，產(chǎn)生分層現(xiàn)象，惡化電鈷質(zhì)量。

18.s5，電積：對電積前液進行電積作業(yè)，得到電積鈷產(chǎn)品和電積后液，電積鈷經(jīng)洗滌檢驗后入庫，電積后液回用于萃取工序用于反萃取鈷或回用于浸出工序用于浸出鈷。

19.電積工藝條件為：電積液鈷離子濃度60～100g/l，電積液初始ph＝4.0～4.5，電積溫度50～60℃，電流密度180～300a/m2，同極距：100-160mm。

20.電解液的酸度不僅影響電流效率，而且影響鈷沉積物的結(jié)構(gòu)。電解液的酸度越大(ph越小)，氫離子在陰極的析出就越多，電流效率越低。當(dāng)電解液ph值較高時，陰極上容易生成鈷的氫氧化物，產(chǎn)出的陰極鈷硬度大、彈性差、且易分層。

21.提高溫度能促進鈷離子的擴散，減少濃差極化，降低槽電壓，提高電流效率，同時，升高溫度能加快陰極沉積物晶粒的生長速率，使陰極鈷結(jié)晶顆粒更大。但溫度過高，一方面需要更多的能量，另一方面降低了氫的超電位，增加了氫氣的析出，降低了電流效率。溫度過低時，會導(dǎo)致陰極鈷發(fā)黑，出現(xiàn)爆裂等現(xiàn)象，控制電解液的溫度為50～60℃，且過程溫度

必須穩(wěn)定，溫度波動會造成陰極鈷卷邊或成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

22.電流密度越大，通過的電流強度越大，產(chǎn)量越大。但是，隨著電流密度的增加，槽電壓升高，電流效率降低，同時，高電流密度下得到的陰極鈷表面粗糙，易于吸附雜質(zhì)粒子。本發(fā)明電流密度控制在180～300a/m2。

23.采用盡可能小的同極距，不僅有利于降低槽電壓，提高電流效率，同時增加了電解槽的生產(chǎn)能力。但同極距太小，容易造成槽內(nèi)接觸增多造成短路，給槽面操作與管理帶來很多困難，反而降低電流效率。本發(fā)明同極距控制在100-160mm。

24.對電積前液進行電積時，采用的陽極板為pb板、pb-ag合金板、ti板中的一種，陰極板為鈷始極片，厚度為0.3-1.0mm。

25.pb板、pb-ag合金板、ti板，成本低，導(dǎo)電性好，耐腐蝕性好，可避免陽極腐蝕物進入陰極鈷中，采用鈷始極片作為陰極時，不需要剝鈷片，降低勞動強度。

26.所述陰極板外還套有隔膜袋，所述隔膜袋為由滌綸、丙綸、錦綸、維綸中的至少一種或任意多種制成的具有過濾功能的隔膜，所述隔膜袋將隔膜袋內(nèi)外溶液維持一定的液位差，減少h2的析出，而保證陰極液ph＝1.5～4.0。所述隔膜袋內(nèi)的液位與陽極液的液位差為15-30mm，減少h2的析出，從而保證陰極液ph＝1.5～4.0。

27.有益效果：

28.本方法以coso4溶液為電解液，電積過程中不會產(chǎn)生cl2，大大改善了操作環(huán)境和降低了對設(shè)備的防腐要求。

29.本方法通過在電解液中加入添加劑，改善了鈷板的質(zhì)量，鈷板結(jié)晶致密，表面光滑，樹枝狀或圓頭結(jié)粒更少，雜質(zhì)含量低。

30.本方法在電積過程中，陰極板套有隔膜袋，通過控制循環(huán)液流量來維持隔膜袋內(nèi)外一定的液位差，控制陰極液ph＝1.5～4.0，從而減少了h2的析出，提高了電流效率，電流效率由不套隔膜袋時的60％左右上升至80％以上。

31.本方法得到的電積后液回用于萃取工序用于反萃取鈷或回用于浸出工序用于浸出鈷，與傳統(tǒng)的用堿中和電積后液的方法相比，不僅節(jié)約了硫酸，同時節(jié)約了中和電積后液的堿，大大減少了原材料的消耗。

附圖說明

32.為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

33.圖1為本發(fā)明方法的流程圖。

具體實施方式

34.下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例進行詳細(xì)描述。

35.以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神

下進行各種修飾或改變。需說明的是，在不沖突的情況下，以下實施例及實施例中的特征可以相互組合?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

36.實施例1：

37.如圖1所示，一種生產(chǎn)電積鈷的方法，包括如下步驟：

38.s1，浸出、除鐵：鈷精礦經(jīng)破碎、球磨后，加入h2so4和so2進行還原浸出，得到coso4浸出液，浸出液除鐵后得到除鐵后液[fe]＝0.0008g/l；

[0039]

s2，萃?。撼F后液經(jīng)p204萃雜工序除去溶液中的al、cu、mn、zn、ca等雜質(zhì)元素，除雜后的萃余液進入p507萃鈷工序，用硫酸或電積后液反萃得到純凈的coso4溶液，[co

2+

]＝80g/l；

[0040]

s3，深度凈化：采用萃取法進一步除去coso4溶液中的少量雜質(zhì)，并對coso4溶液進行深度除油，得到的coso4溶液各雜質(zhì)離子的濃度均達到電解液標(biāo)準(zhǔn)，有機物含量為5ppm；

[0041]

s4，電解液的配置：向coso4溶液中加入硼酸和十二烷基磺酸鈉作為添加劑，硼酸濃度為5g/l，十二烷基磺酸鈉濃度為0.1mg/l，得到電積前液；

[0042]

s5，電積：對電積前液進行電積作業(yè)，得到電積鈷產(chǎn)品和電積后液，電積鈷經(jīng)洗滌檢驗后入庫，電積后液回用于萃取工序用于反萃取鈷。

[0043]

在電積作業(yè)中，陽極為pb板，陰極為0.5mm厚的鈷始極片，陰極板套有滌綸布隔膜袋，電積前液從隔膜袋中流入，控制合適的循環(huán)流量，以維持隔膜袋內(nèi)的液位與陽極液液位差為20mm，此時陰極液ph≈2.0，另外，電積前液[co

2+

]＝80g/l，ph＝4.0～4.5，電積溫度55℃，電流密度200a/m2，同極距：120mm，槽電壓3.8v，電積后液[co

2+

]＝60g/l。在本實施例中，利用陰極隔膜袋把陰、陽極分開，純凈的電解液不斷流到陰極隔膜袋內(nèi)，隔膜袋內(nèi)的液位與陽極液液位維持一定的液位差，在液位差作用下，陰極電解液通過隔膜袋的濾過速度大于在電流作用下銅、鐵等雜質(zhì)離子從陽極向陰極的移動速度，從而保證陰極室不增加雜質(zhì)，同時維持陰極液ph值的穩(wěn)定，保證電鈷的質(zhì)量和較高的電流效率。

[0044]

本實施例生產(chǎn)出的鈷板結(jié)晶致密，表面光滑具有銀灰色光澤，只有少量結(jié)粒，鈷含量為99.99％，達到co9998質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，電流效率高達89％。電積鈷經(jīng)洗滌檢驗后入庫，電積后液回用于萃取工序用于反萃取鈷。

[0045]

實施例2：

[0046]

一種生產(chǎn)電積鈷的方法，包括如下步驟：

[0047]

s1，浸出、除鐵：粗制氫氧化鈷經(jīng)破碎、球磨后，加入h2so4和so2進行還原浸出，得到coso4浸出液，浸出液經(jīng)除鐵后得到的除鐵后液[fe]＝0.0009g/l；

[0048]

s2，萃?。撼F后液經(jīng)p204萃雜工序除去溶液中的al、cu、mn、zn、ca等雜質(zhì)元素，除雜后的萃余液進入p507萃鈷工序，用電積后液反萃得到純凈的coso4溶液，[co

2+

]＝70g/l；

[0049]

s3，深度凈化：采用離子交換法進一步除去coso4溶液中的少量雜質(zhì)，并對coso4溶液進行深度除油，得到的coso4溶液各雜質(zhì)離子的濃度均達到電解液標(biāo)準(zhǔn)，有機物含量為3ppm；

[0050]

s4，電解液的配置：向coso4溶液中加入硼酸作為添加劑，硼酸濃度為8g/l，得到電積前液；

[0051]

s5，電積：對電積前液進行電積作業(yè)，得到電積鈷產(chǎn)品和電積后液，電積鈷經(jīng)洗滌

檢驗后入庫，電積后液回用于浸出工序用于浸出鈷。

[0052]

在本實施例中，陽極為ti板，陰極為0.6mm厚的鈷始極片，陰極板套用型號丙綸布隔膜袋，電積前液從隔膜袋中流入，控制合適的循環(huán)流量，以維持隔膜袋內(nèi)的液位與陽極液液位差為25mm，此時陰極液ph≈2.5。

[0053]

另外，電積時，電積前液[co

2+

]＝70g/l，ph＝4.0～4.5，電積溫度60℃，電流密度250a/m2，同極距：140mm，槽電壓4.0v，電積后液[co

2+

]＝55g/l。

[0054]

生產(chǎn)出的鈷板結(jié)晶致密，表面光滑具有銀灰色光澤，只有少量結(jié)粒，鈷含量為99.99％，達到co9998質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，電流效率高達85％。電積鈷經(jīng)洗滌檢驗后入庫，電積后液回用于浸出工序用于浸出鈷。

[0055]

實施例3：

[0056]

一種生產(chǎn)電積鈷的方法，包括如下步驟：

[0057]

s1，浸出、除鐵：鋰電池廢料經(jīng)破碎、球磨后，加入h2so4和so2進行還原浸出，得到coso4浸出液，浸出液經(jīng)除鐵后得到的除鐵后液[fe]＝0.0006g/l；

[0058]

s2，萃?。撼F后液經(jīng)p204萃雜工序除去溶液中的al、cu、mn、zn、ca等雜質(zhì)元素，除雜后的萃余液進入p507萃鈷工序，用電積后液反萃得到純凈的coso4溶液，[co

2+

]＝60g/l；

[0059]

s3，深度凈化：采用萃取法進一步除去coso4溶液中的少量雜質(zhì)，并對coso4溶液進行深度除油，得到的coso4溶液各雜質(zhì)離子的濃度均達到電解液標(biāo)準(zhǔn)，有機物含量為3ppm；

[0060]

s4，電解液的配置：向coso4溶液中加入硼酸和瓜爾膠作為添加劑，硼酸濃度為20g/l，瓜爾膠濃度為2mg/l，得到電積前液；

[0061]

s5，電積：對電積前液進行電積作業(yè)，得到電積鈷產(chǎn)品和電積后液，電積鈷經(jīng)洗滌檢驗后入庫，電積后液回用于萃取工序用于反萃取鈷。

[0062]

在本實施例中，陽極為pb-ag板，陰極為0.3mm厚的鈷始極片，陰極板套用型號丙綸布隔膜袋，電積前液從隔膜袋中流入，控制合適的循環(huán)流量，以維持隔膜袋內(nèi)的液位與陽極液液位差為15mm，此時陰極液ph≈1.5。

[0063]

另外，電積時，電積前液[co

2+

]＝60g/l，ph＝4.0～4.5，電積溫度50℃，電流密度180a/m2，同極距：100mm，槽電壓3.6v，電積后液[co

2+

]＝48g/l。

[0064]

生產(chǎn)出的鈷板結(jié)晶致密，表面光滑具有銀灰色光澤，只有少量結(jié)粒，鈷含量為99.98％，達到co9998質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，電流效率高達86％。電積鈷經(jīng)洗滌檢驗后入庫，電積后液回用于萃取工序用于反萃取鈷。

[0065]

實施例4：

[0066]

一種生產(chǎn)電積鈷的方法，包括如下步驟：

[0067]

s1，浸出、除鐵：鈷精礦經(jīng)破碎、球磨后，加入h2so4和so2進行還原浸出，得到coso4浸出液，浸出液經(jīng)除鐵后得到的除鐵后液[fe]＝0.0008g/l；

[0068]

s2，萃取：除鐵后液經(jīng)p204萃雜工序除去溶液中的al、cu、mn、zn、ca等雜質(zhì)元素，除雜后的萃余液進入p507萃鈷工序，用電積后液反萃得到純凈的coso4溶液，[co

2+

]＝100g/l；

[0069]

s3，深度凈化：采用萃取法進一步除去coso4溶液中的少量雜質(zhì)，并對coso4溶液進行深度除油，得到的coso4溶液各金屬雜質(zhì)離子的濃度均達到電解液標(biāo)準(zhǔn)，有機物含量為9ppm；

[0070]

s4，電解液的配置：向coso4溶液中加入瓜爾膠作為添加劑，瓜爾膠濃度為10mg/l，

得到電積前液；

[0071]

s5，電積：對電積前液進行電積作業(yè)，得到電積鈷產(chǎn)品和電積后液，電積鈷經(jīng)洗滌檢驗后入庫，電積后液回用于浸出工序用于浸出鈷。

[0072]

在本實施例中，陽極為pb-ag板，陰極為1.0mm厚的鈷始極片，陰極板套用錦綸布隔膜袋，電積前液從隔膜袋中流入，控制合適的循環(huán)流量，以維持隔膜袋內(nèi)的液位與陽極液液位差為30mm，此時陰極液ph≈4.0。

[0073]

另外，電積時，電積前液[co

2+

]＝100g/l，ph＝4.5，電積溫度60℃，電流密度300a/m2，同極距：160mm，槽電壓4.1v，電積后液[co

2+

]＝100g/l。

[0074]

生產(chǎn)出的鈷板結(jié)晶致密，表面光滑具有銀灰色光澤，只有少量結(jié)粒，鈷含量為99.99％，達到co9998質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，電流效率高達88％。電積鈷經(jīng)洗滌檢驗后入庫，電積后液回用于浸出工序用于浸出鈷。

[0075]

同時，本技術(shù)還對電積前液中未添加任何添加劑進行了測試，生產(chǎn)出的鈷板表面粗糙，有較多樹枝狀結(jié)粒和圓頭結(jié)粒，鈷含量僅為99.93％，鈷板質(zhì)量變差，電流效率為82％。

[0076]

同時，本技術(shù)還對陰極板未套隔膜袋進行了測試，生產(chǎn)出的鈷板不致密且易分層，h2的析出量明顯增加，電流效率大幅度下降，低至65％。

[0077]

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。技術(shù)特征：

1.一種生產(chǎn)電積鈷的方法，其特征在于，包括如下步驟：s1，浸出、除鐵：鈷原料經(jīng)破碎、球磨后用h2so4和so2浸出，得到coso4浸出液，浸出液除鐵后得到除鐵后液；s2，萃?。撼F后液經(jīng)p204萃雜工序除去溶液中雜質(zhì)元素，除雜后的萃余液進入p507萃鈷工序，用硫酸或電積后液反萃得到純凈的coso4溶液；s3，深度凈化：采用萃取法或離子交換法進一步除去coso4溶液中的少量雜質(zhì)，并對coso4溶液進行深度除油；s4，電解液的配置：深度凈化后的coso4溶液加入添加劑，得到電積前液；s5，電積：對電積前液進行電積作業(yè)，得到電積鈷產(chǎn)品和電積后液，電積鈷經(jīng)洗滌檢驗后入庫，電積后液回用于萃取工序用于反萃取鈷或回用于浸出工序用于浸出鈷。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟s1中，所述鈷原料包括鈷精礦、粗制氫氧化鈷、鋰電池廢料中的一種或任意組合的幾種。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟s1中，所述除鐵后液中的fe濃度小于1mg/l。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟s2中，所述coso4溶液中鈷離子濃度為60～100g/l。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟s4中，添加劑為硼酸、十二烷基磺酸鈉、瓜爾膠中的一種或任意組合的幾種。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于：添加劑的濃度分別為：硼酸濃度為2～20g/l，十二烷基磺酸鈉濃度為0.05～0.5mg/l，瓜爾膠濃度為2～10mg/l。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟s5中，對電積前液進行電積時，還需要保證電積液初始ph＝4.0～4.5，電積溫度50～60℃，電流密度180～300a/m2，同極距：100-160mm。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：步驟s5中，對電積前液進行電積時，采用的陽極板為pb板、pb-ag合金板、ti板中的一種，陰極板為鈷始極片，厚度為0.3-1.0mm。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于：所述陰極板外還套有隔膜袋，所述隔膜袋為由滌綸、丙綸、錦綸、維綸中的至少一種或任意多種制成的具有過濾功能的隔膜，所述隔膜袋將隔膜袋內(nèi)外溶液維持一定的液位差，減少h2的析出，而保證陰極液ph＝1.5～4.0。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于：所述隔膜袋內(nèi)的液位與陽極液的液位差為15-30mm。

技術(shù)總結(jié)

本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)電積鈷的方法，包括如下步驟：浸出、除鐵：鈷原料經(jīng)破碎、球磨后用H2SO4和SO2浸出，得到CoSO4浸出液，浸出液除鐵后得到除鐵后液；萃?。撼F后液經(jīng)P204萃雜工序除去溶液中雜質(zhì)元素，除雜后的萃余液進入P507萃鈷工序，用硫酸或電積后液反萃得到純凈的CoSO4溶液；深度凈化：采用萃取法或離子交換法進一步除去CoSO4溶液中的少量雜質(zhì)，并對CoSO4溶液進行深度除油；電解液的配置：深度凈化后的CoSO4溶液加入添加劑，得到電積前液；電積：對電積前液進行電積作業(yè)，得到電積鈷產(chǎn)品和電積后液。本發(fā)明電積過程中不會產(chǎn)生Cl2，大大改善了操作環(huán)境和降低了對設(shè)備的防腐要求。大改善了操作環(huán)境和降低了對設(shè)備的防腐要求。大改善了操作環(huán)境和降低了對設(shè)備的防腐要求。

技術(shù)研發(fā)人員：曾清全 謝致平

受保護的技術(shù)使用者：贛州寒銳新能源科技有限公司

技術(shù)研發(fā)日：2022.01.12

技術(shù)公布日：2022/4/12