本申請涉及一種Mxene?F摻雜電子傳輸層
鈣鈦礦太陽能電池,其包括自下而上依次層疊設(shè)置的導(dǎo)電基底、空穴傳輸層、鈣鈦礦層、電子傳輸層和頂電極層,電子傳輸層為Mxene?F摻雜PCBM層,對電子傳輸層界面進(jìn)行優(yōu)化,減少其界面缺陷,使能帶匹配,提升鈣鈦礦太陽電池的效率,同時Mxene?F的摻雜能夠提高PCBM界面的疏水性,從而提高器件穩(wěn)定性。
聲明:
“Mxene-F摻雜電子傳輸層鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)