本發(fā)明提供了一種二維易調(diào)控Ba
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0.35BiO
3薄膜的制備方法,包括:A)將鋇源、鉀源和鉍源按比例混合球磨,預(yù)燒結(jié)、擠壓成形、坯體燒結(jié)得到Ba
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3靶材;B)Ba
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3靶材通過脈沖激光沉積在單晶襯底上生長Ba
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3薄膜。本發(fā)明所述Ba
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3靶材呈單一結(jié)構(gòu)相,表面平整,均勻性好,相對致密度為90.94%,大于90%,與脈沖激光沉積儀貼合率達(dá)到99%。然后通過脈沖激光沉積在單晶襯底上生長出二維易調(diào)控Ba
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3薄膜。所述Ba
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3薄膜呈立方
鈣鈦礦結(jié)構(gòu),表面平整,穩(wěn)定性好,結(jié)晶性很好,生長周期短,在高溫超導(dǎo)領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用潛力。本發(fā)明制備方法簡單,參數(shù)可控,重復(fù)性高。
聲明:
“二維易調(diào)控BaKBiO薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)