基于機器學習分析圖像偽影和成像系統(tǒng)失效的方法和系統(tǒng) 1064     

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本發(fā)明題為“基于機器學習分析圖像偽影和成像系統(tǒng)失效的方法和系統(tǒng)”。本發(fā)明公開了用于解決醫(yī)療成像設備的誤動作的方法和系統(tǒng)。該方法包括通過使用已訓練的機器學習模型對由醫(yī)療成像設備獲取的醫(yī)療圖像中的圖像偽影的類型進行分類。該方法還包括分析與醫(yī)療圖像的獲取相關(guān)聯(lián)的系統(tǒng)數(shù)據(jù)，以識別可能對該類型的圖像偽影有貢獻的一個或多個系統(tǒng)參數(shù)；以及基于所識別的一個或多個系統(tǒng)參數(shù)來提供用于解決圖像偽影的動作。

半導體器件中失效分析的結(jié)構(gòu)和方法 1158     

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本發(fā)明公開了一種半導體失效分析的分析結(jié)構(gòu)和方法。所述結(jié)構(gòu)包括:多個分析場,設置于半導體器件的預定的區(qū)域上;半導體晶體管,設置于每個所述分析場中,所述半導體晶體管設置為陣列;字線,設置于所述多個分析場的每個上,在第一方向?qū)⑺霭雽w晶體管彼此連接;和位線結(jié)構(gòu),在所述多個分析場的每個上,在第二方向?qū)⑺霭雽w晶體管彼此連接,其中,所述位線結(jié)構(gòu)在所述多個分析場的每個中配置為不同的圖案。

數(shù)據(jù)失效的聚合分析和補救 847     

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本公開涉及這樣的處理操作：其評估數(shù)據(jù)失效的影響，并基于數(shù)據(jù)失效對應用/服務的操作的影響的評估結(jié)果來管理數(shù)據(jù)失效的補救?？梢跃酆虾头治鏊R別的數(shù)據(jù)失效。在一個非限制性示例中，在時間計數(shù)上聚合數(shù)據(jù)失效類型以識別近期的數(shù)據(jù)失效。數(shù)據(jù)失效的所聚合類型的分析包括評估在時間計數(shù)內(nèi)識別的數(shù)據(jù)失效類型的強度?？梢栽跁r間計數(shù)期間基于識別對通過應用/服務的內(nèi)容呈現(xiàn)的影響的強度分析來對識別的數(shù)據(jù)失效進行排列。可以基于排列處理來管理數(shù)據(jù)失效的補救。例如，可以對一個或多個數(shù)據(jù)失效進行優(yōu)先處理以進行補救處理以糾正與錯誤相關(guān)聯(lián)的底層數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。

用于操作活塞式發(fā)動機的方法和用于檢測汽缸蓋墊片失效的布置 992     

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提供了一種用于操作活塞式發(fā)動機(1)的方法，該方法包括以下步驟：監(jiān)測被用于冷卻所述發(fā)動機(1)的汽缸(5)的冷卻液的壓力；監(jiān)測所述發(fā)動機(1)的曲軸的扭轉(zhuǎn)振動；比較所測量的冷卻液壓力與預定極限值；比較所測量的扭轉(zhuǎn)振動與預定極限值；以及在所測量的冷卻液壓力超過其預定極限值并且所測量的扭轉(zhuǎn)振動超過它們的預定極限值的情況下，診斷出泄漏的汽缸蓋墊片。

電壓超調(diào)對介電失效/擊穿的影響的分析實驗估計器 921     

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本發(fā)明涉及一種電壓超調(diào)對介電失效/擊穿的影響的分析實驗估計器。一種方法測試集成電路器件以測量電壓超調(diào)狀況。所述方法確定超調(diào)時間比例。所述超調(diào)時間比例是在所述集成電路器件的整個有用工作壽命期間，發(fā)生電壓超調(diào)狀況的時間量相對于發(fā)生正常工作狀況的時間量。所述方法還確定超調(diào)失效比例。所述超調(diào)失效比例包括在所述電壓超調(diào)狀況期間發(fā)生的介電失效量相對于在所述正常工作狀況期間發(fā)生的介電失效量。所述方法基于所述超調(diào)時間比例和所述超調(diào)失效比例計算允許的超調(diào)電壓。所述方法附加地計算電壓波形的平均超調(diào)電壓并將所述平均超調(diào)電壓與所述允許的超調(diào)電壓進行比較，從而確定所述平均超調(diào)電壓是否超過所述允許的超調(diào)電壓。

用于評估稀有失效事件的電路良率分析方法及系統(tǒng) 712     

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一種用于評估稀有失效事件的電路良率分析方法及其系統(tǒng)，其可提高重要性采樣蒙特卡羅(ISMC)模擬效率及準確性。所述方法包括：執(zhí)行初始采樣，以檢測在多維度參數(shù)空間中分別位于一個或多個失效區(qū)處的失效樣本；產(chǎn)生失效樣本沿每一維度在離散值處的分布；識別所述失效樣本；執(zhí)行變換以將所述失效樣本投影到變換空間中的所有維度中；以及針對所述參數(shù)空間中的每一維度來分類失效區(qū)的類型。

使用聚焦離子束于供物性失效分析的多層半導體中曝露所欲層的方法 963     

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一種針對包含多個晶粒的半導體晶片或封裝品的缺陷檢測方法,這種方法包括對半導體晶片或封裝品進行電性失效分析;確認該多個晶粒的至少一個晶粒中的缺陷;在該至少一個缺陷晶粒中確認要進行分析的目標層;以聚焦離子束設備移除已確認的缺陷晶粒的至少一上方層;以及曝露出將供物性缺陷分析的整個目標層。

存儲元件的失效模式分析方法 766     

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一種存儲元件的失效模式分析方法，包括：利用檢測系統(tǒng)來掃描晶圓，以產(chǎn)生所述晶圓的失效圖形，并利用檢測程序來取得所述晶圓中的單比特位的失效數(shù)量；依據(jù)字線布局、位線布局以及有源區(qū)布局定義出單比特位的分組表；對自對準雙重圖案化工藝中的至少一工藝分類出核心群組與空隙群組；以及分別統(tǒng)計所述核心群組與所述空隙群組中的單比特位的失效數(shù)量，以產(chǎn)生核心失效信息與空隙失效信息。

于失效分析中觀察失效區(qū)域的樣品制作方法 1133     

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本發(fā)明公開一種于失效分析中觀察失效區(qū)域的樣品制作方法，包括以下步驟，首先，提供一芯片，將進行失效分析。其次，在該芯片周圍點上保護膠固定在一小基板上，使該芯片在研磨時不會造成破損。其次，將該芯片倒置固定在一支撐基板上。最后，灌入卸取膠使該芯片能固定在一承載基板上，且在進行失效分析中在判斷出失效區(qū)域后能將該芯片卸取進而確認其失效原由。本發(fā)明方法能制作于失效分析中觀察失效區(qū)域的樣品，以便對于特定失效區(qū)域進行后續(xù)芯片結(jié)構(gòu)及失效原由確認。

漩渦式探針、探針測試裝置、探針卡系統(tǒng)及多晶片模塊的失效分析方法 866     

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一種漩渦式探針、探針測試裝置、探針卡系統(tǒng)及多晶片模塊的失效分析方法。漩渦式探針包括一針體、一連接部與一漩渦彈簧。針體的一端具有一針尖。漩渦彈簧連接針體與連接部。漩渦彈簧包含一圈以上的旋繞體，這些旋繞體彼此共平面，且這些旋繞體的軸心與針體的長軸方向正交。故，通過上述架構(gòu)，漩渦式探針不致于導電接點上橫向滑移，降低滑出導電接點的范圍的機會，以維持探針與導電接點之間的電接品質(zhì)及測試性能，以及縮小測試變數(shù)。

車輛失效分析系統(tǒng)、車輛失效分析設備及車輛失效分析方法 718     

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本發(fā)明涉及車輛失效分析系統(tǒng)、車輛失效分析設備及車輛失效分析方法。一種車輛失效分析系統(tǒng)(1),用于裝有多個控制系統(tǒng)的車輛,每個控制系統(tǒng)由一個或多個部件形成,所述車輛失效分析系統(tǒng)包括:故障系統(tǒng)識別單元(2D),其從多個控制系統(tǒng)中識別故障控制系統(tǒng);故障部件識別單元(3B),其根據(jù)所識別的控制系統(tǒng),從一個或多個部件中識別故障部件。