一種存儲元件的失效模式分析方法,包括:利用檢測系統(tǒng)來掃描晶圓,以產(chǎn)生所述晶圓的失效圖形,并利用檢測程序來取得所述晶圓中的單比特位的失效數(shù)量;依據(jù)字線布局、位線布局以及有源區(qū)布局定義出單比特位的分組表;對自對準(zhǔn)雙重圖案化工藝中的至少一工藝分類出核心群組與空隙群組;以及分別統(tǒng)計所述核心群組與所述空隙群組中的單比特位的失效數(shù)量,以產(chǎn)生核心失效信息與空隙失效信息。
聲明:
“存儲元件的失效模式分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)