本發(fā)明涉及一種制備碳化硅納米線的方法,以硅礦、石英、廢光纖、廢石英和生 物質(zhì)灰廢料等含SiO2的廢料為原料,以碳、竹炭、煤、廢活性炭、焦煤和褐煤等為 還原劑,兩者按摩爾比1∶0.5~6進行配比混合,經(jīng)真空碳熱還原,控制真空度 10-2~10-4Pa,溫度700℃~2000℃,還原反應時間10min~2h,反應后自然冷卻至室溫, 再經(jīng)700~900℃下灼燒及洗滌、過濾、干燥,制備得直徑為30-120nm,長度在微米級 SiC納米線。
聲明:
“制備碳化硅納米線的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)