本發(fā)明公開(kāi)了一種鈦酸鍶鋇薄膜及其制備方法和應(yīng)用。所述薄膜是由鑭對(duì)鈦酸鍶鋇A位及錳對(duì)鈦酸鍶鋇B位共摻雜得到。該薄膜的制備是先制備La、Mn共摻雜的BST陶瓷濺射靶材;然后利用得到的La、Mn共摻雜的BST陶瓷濺射靶材在硅襯底基片上制備鎳酸鑭底電極;再利用得到的鎳酸鑭底電極、采用射頻磁控濺射法沉積所述的鈦酸鍶鋇薄膜。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了采用磁控濺射法制備鑭和錳共摻雜的鈦酸鍶鋇薄膜;且制得的BST薄膜呈
鈣鈦礦結(jié)構(gòu),單一相,無(wú)雜相,且具有(100)擇優(yōu)取向;尤其是,具有高介電可調(diào)性、低介電損耗以及適中介電常數(shù),有望應(yīng)用于制作介電調(diào)諧器件。
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