一種尺寸可控的低維鈦酸鍶晶體的合成方法及應(yīng)用,它涉及一種鈦酸鍶晶體的合成方法及應(yīng)用。本發(fā)明的目的是要解決采用現(xiàn)有制備工藝制備的片狀SrTiO
3晶體中存在粒徑尺寸過大且可調(diào)控范圍相對較窄、晶體為多晶聚集體,晶體中雜質(zhì)原子含量高、造成其應(yīng)用中存在范圍窄、穩(wěn)定性差、取向度低、性能惡化的問題。方法:一、制備前驅(qū)體混合原料;二、煅燒制備前驅(qū)體;三、清洗、分散得到粒徑均一且尺寸可調(diào)控的片狀Bi
4Ti
3O
12前驅(qū)體;四、制備產(chǎn)物混合原料;五、煅燒制備產(chǎn)物;六、清洗。應(yīng)用:用于光催化、納米器件、有機(jī)填充料及能量存儲、高性能多功能電子織構(gòu)陶瓷、薄膜、單晶的制備領(lǐng)域。本發(fā)明可獲得一種尺寸可控的低維鈦酸鍶晶體。
聲明:
“尺寸可控的低維鈦酸鍶晶體的合成方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)