本申請涉及柔性基透明導(dǎo)電薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種導(dǎo)電薄膜及其制備方法。一種導(dǎo)電薄膜,包括柔性基底和形成于柔性基體表層的導(dǎo)電薄膜層,導(dǎo)電薄膜層含有導(dǎo)電粒子A、導(dǎo)電粒子B;導(dǎo)電粒子A是由無機(jī)金屬基載體和摻雜金屬原子組成,摻雜金屬原子固定連接于無機(jī)金屬基載體表面;導(dǎo)電粒子中摻雜金屬原子與無機(jī)金屬基載體質(zhì)量比為1:5?8;摻雜金屬原子為Ag、Zn、Al中的至少一種;導(dǎo)電粒子B由無機(jī)硅基載體和納米級金屬簇組成;納米級金屬簇為納米銀顆粒、納米銅顆粒中的至少一種。本申請中的導(dǎo)電薄膜在導(dǎo)電率上媲美ITO薄膜,透光率≥80%,且制備方法相對簡單,生產(chǎn)成本較低,便于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化批量生產(chǎn),易于本申請進(jìn)行市場推廣普及。
聲明:
“導(dǎo)電薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)