一種晶體硅提純集成系統(tǒng)包括:第一破碎裝置、酸洗裝置、原料硅礦熱爐、第二破碎裝置、除碳裝置、電子束熔煉裝置;通過第一破碎裝置將粗硅料破碎,酸洗裝置酸洗破碎料后利用原料硅礦熱爐進(jìn)行渣洗熔煉以獲得原料硅。第二破碎裝置對原料硅破碎后,除碳裝置煅燒以降低第二破碎裝置生產(chǎn)出的破碎料中的碳含量,電子束熔煉裝置對煅燒后的破碎料進(jìn)行熔煉除磷及以面積變化的面掃描方式及按照第一預(yù)定功率對除磷后的原料進(jìn)行掃描升溫,利用熔池與結(jié)晶的物料之間的固液界面來使雜質(zhì)不斷的向熔池內(nèi)匯集、揮發(fā);控制電子束槍以面積不變的面掃描方式且功率逐漸縮小而獲得
多晶硅半成品,將多晶硅半成品的底部和頂部雜質(zhì)富集區(qū)鋸切以獲得多晶硅。
聲明:
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我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)