本發(fā)明公開了一種降低電子束熔煉
多晶硅能耗的裝置和方法,屬于冶金領(lǐng)域,裝置包括水冷熔煉坩堝,所述水冷熔煉坩堝內(nèi)壁底部設(shè)有10~50mm石墨襯底,所述石墨襯底上表面有SiC膜層;在熔煉坩堝與硅熔體之間增加石墨襯底,由于石墨材質(zhì)的熱導(dǎo)率遠遠小于銅材質(zhì)的熱導(dǎo)率,所以在熔煉過程中會減少熱量被水冷熔煉坩堝大量帶走而帶來的熱量損失,從而達到節(jié)能的目的;加入石墨襯底后,若保持電子槍功率不變,可使熔煉時間縮短1/5~1/2;加入石墨襯底后,若保持熔煉時間不變,可使熔煉功率降低1/4~1/2;形成的SiC膜層可多次使用。
聲明:
“降低電子束熔煉多晶硅能耗的裝置與方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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