本發(fā)明采用電子束注入去除
多晶硅中雜質(zhì)硼的方法屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束進(jìn)行電子注入,從而去除多晶硅中雜質(zhì)硼的方法。該方法首先利用高溫加熱爐加熱硅粉,然后將其置于電子束熔煉爐中,低束流電子束轟擊硅粉,最后用HF酸溶液除去硅粉表面氧化膜得到低硼硅粉。本發(fā)明的顯著效果是采用了電子束釋放電子顯負(fù)電的電效應(yīng),結(jié)合硅材料本身的特點(diǎn),增強(qiáng)了硅料自身的微電場(chǎng),在溫度的驅(qū)動(dòng)下使硼擴(kuò)散到界面進(jìn)而進(jìn)入到二氧化硅層中,最后酸洗去除含有硼的二氧化硅膜,從而達(dá)到去除雜質(zhì)硼的目的,以滿足太陽(yáng)能級(jí)硅的使用要求,其提純效果好,穩(wěn)定性好,能耗小,成本低,工藝簡(jiǎn)單,周期短,生產(chǎn)效率較高。
聲明:
“采用電子束注入去除多晶硅中雜質(zhì)硼的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)