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Co摻雜NiO納米片陣列薄膜電極的制備方法

824 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 14:33:06

本發(fā)明公開了一種Co摻雜NiO納米片陣列薄膜電極的制備方法，該方法為：一、將NiCo合金基片機械加工后打磨光亮，超聲除油，去離子水清洗后自然風干；二、將NiCo合金基片置于水熱反應釜中進行熱處理，得到含Co的NiO納米片陣列薄膜；三、焙燒得到Co摻雜NiO納米片陣列薄膜電極。本發(fā)明工藝步驟簡單，勞動強度低，具有環(huán)境友好、制備成本低和可工業(yè)放大的優(yōu)勢，制備的Co摻雜NiO納米片陣列薄膜作為超級電容器的正極材料使用時，其比電容是未經(jīng)改性的NiO納米片陣列薄膜的2.5～3.8倍，電化學性能得到大幅提升，尤其是當放電電流密度提高20倍時，其比電容量仍能得到較好維持。

聲明：

“Co摻雜NiO納米片陣列薄膜電極的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)