本發(fā)明涉及一種鈦硅物料制備太陽能級(jí)
多晶硅的方法,屬于鈦硅物料高效資源綜合利用技術(shù)領(lǐng)域。將鈦硅物料中的碳脫除至0.1wt.%~2wt.%進(jìn)行預(yù)處理過程;將經(jīng)預(yù)處理的鈦硅物料,采用真空蒸餾精煉除雜工藝除去易揮發(fā)的雜質(zhì);然后電磁定向凝固分離,獲得3~4N高純硅和雜質(zhì)較高的鈦硅合金;將得到的3~4N高純硅加入合金化金屬,得到合金化后的高純硅;將得到的合金化后的高純硅酸浸,獲得5~6N的UMG?Si顆粒;將得到的5~6N的UMG?Si顆粒,采用真空蒸餾精煉除雜工藝除去易揮發(fā)的雜質(zhì);然后電磁定向凝固分離,獲得6N的太陽能級(jí)多晶硅。本發(fā)明以鈦硅物料為原料,結(jié)合現(xiàn)有的硅合金化提純、濕法浸出、定向凝固等技術(shù),制備出太陽能級(jí)多晶硅。
聲明:
“鈦硅物料制備太陽能級(jí)多晶硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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