本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法,包括:提供半導(dǎo)體襯底,在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介電層,在所述層間介電層中形成銅金屬互連溝槽或通孔;采用
濕法冶金工藝在所述銅金屬互連溝槽或通孔的側(cè)壁及底部形成CuMn合金種子層;在所述銅金屬互連溝槽或通孔內(nèi)填充銅金屬,以形成銅金屬互連結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明,可以使形成的CuMn合金種子層不發(fā)生懸垂突出現(xiàn)象,以利于后續(xù)電鍍銅金屬的實(shí)施。
聲明:
“半導(dǎo)體器件的制造方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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