一種CIS系薄膜的濺鍍方法,包含以下步驟:在一個(gè)含有惰性氣體 的減壓環(huán)境內(nèi)對(duì)一種含有CuInxGa1-xSySe2-y的組分并具有黃銅礦晶相的 靶材施加一個(gè)預(yù)定輸出功率,以在該減壓環(huán)境內(nèi)產(chǎn)生一種含有該靶材 的組分的電漿氣體,且在一基材上形成一種含有CuInxGa1-xSySe2-y的組 分并呈黃銅礦晶相的薄膜,其中,0.8≤x≤1,0≤y≤2。
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