本發(fā)明涉及一種利用高熵合金提純
多晶硅的方法,屬于高晶硅提純領(lǐng)域。利用高熵合金提純多晶硅的方法,包括如下步驟:a、將高熵合金與原料硅混合,在真空或惰性氣氛中加熱至熔融,在電磁場下進行定向凝固;b、定向凝固后冷卻,將硅與合金分離,得到提純后的多晶硅。本發(fā)明方法,利用真空電磁感應(yīng)爐和定向凝固裝置實現(xiàn)高熵合金相與硅相分離,在實現(xiàn)硅中除硼的同時,提高合金的耐磨性能,為低成本制備太陽能級硅技術(shù)在除硼環(huán)節(jié)上提供新的思路。
聲明:
“利用高熵合金提純多晶硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)