本發(fā)明涉及感應(yīng)蒸發(fā)去除
多晶硅中雜質(zhì)硼的方法及裝置,所述方法是在高真空氣氛中,采用感應(yīng)線圈對高硼多晶硅進行熔煉至液態(tài);再將所得液態(tài)硅蒸發(fā)并沉積出低硼多晶硅;最后將低硼多晶硅加以收集的工藝過程;所述高硼多晶硅的含硼量為0.0001%~0.001%,低硼多晶硅的含硼量為0.00002%~0.0001%。所述裝置,包括放置于真空室內(nèi)外圍套有感應(yīng)線圈的坩堝及其上的沉積板,所述沉積板通過其上與其連為一體的支撐桿插掛于所述真空圓桶的上部桶壁上并與所述桶壁螺紋連接。本發(fā)明利用感應(yīng)加熱去除多晶硅中雜質(zhì)硼,產(chǎn)量大,去除效果好、效率高,提純效果穩(wěn)定,方法簡單易行,適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。
聲明:
“感應(yīng)蒸發(fā)去除多晶硅中雜質(zhì)硼的方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)