本發(fā)明公開了一種去除
多晶硅中硼、磷等雜質(zhì)的方法,包括以下步驟:以工業(yè)硅為原料,用有機(jī)溶劑清洗;將硅塊破碎后,用堿性溶液浸泡;用300-1000℃的氧氣或含氧氣的氣體氧化;加入王水中攪拌處理;加入到氟化氫和氯化氫的混合水溶液中攪拌處理后分離即得。本發(fā)明提供的方法為后續(xù)工藝提供了優(yōu)質(zhì)原料,滿足了生產(chǎn)低成本太陽能級多晶硅的需要,針對性強(qiáng)、流程簡單、投資低、環(huán)境友好、操作安全、除雜效果明顯。
聲明:
“去除多晶硅中雜質(zhì)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)