本發(fā)明公開了一種高純
多晶硅的提純系統(tǒng)及用該系統(tǒng)制備高純多晶硅的方法,該系統(tǒng)包括:置于密閉腔體中的硅料熔化裝置、電遷移裝置和定向凝固裝置。硅料熔化裝置和電遷移裝置通過第一溢流管連接,電遷移裝置和定向凝固裝置通過第二溢流管連接。該方法的特征是對熔融硅液施加一個垂直于硅液流動方向的水平直流電場,在電場作用下,硅液中陽離子雜質和陰離子雜質分別向陰極和陽極方向遷移,并在兩側電極區(qū)域聚集,利用分流擋板使高雜質濃度硅液和高純硅液分開,并將高純硅液進行定向凝固鑄錠,最終獲得高純多晶硅錠。本發(fā)明的優(yōu)點是可以實現(xiàn)高純硅的大規(guī)模連續(xù)提純生產(chǎn),具有提純效果好、設備簡單、投資少、生產(chǎn)成本低的優(yōu)點。
聲明:
“高純多晶硅的提純系統(tǒng)及提純方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)