本發(fā)明公開(kāi)的金屬硅的物理提純方法,步驟為:將經(jīng)過(guò)清潔的金屬硅放入退火爐中,加熱至1100~1300℃,保溫10~50分鐘,以0.1~2℃每分鐘的速率降溫至700~1000℃,保溫30~150分鐘,以0.1~2℃每分鐘的速率降溫至250~350℃,之后隨爐冷卻,浸泡在鹽酸和氫氟酸等體積混合溶液中1~5個(gè)小時(shí),即可。本發(fā)明利用了磷吸雜原理,在金屬硅表面形成磷吸雜層,對(duì)金屬硅中的金屬進(jìn)行吸雜處理。工藝流程簡(jiǎn)單,低能耗,低成本,無(wú)污染排放,生產(chǎn)效率高,產(chǎn)率高,通過(guò)此方法提純可以得到純度為4~5N的金屬硅材料,可以作為
太陽(yáng)能電池用硅材料的原料。
聲明:
“金屬硅的物理提純方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)