提供了顯示出可部分歸因于誘導晶格應(yīng)變的增強的反應(yīng)性質(zhì)的新型化合物。所述新型化合物顯示了銅在氧化條件下的加速浸出。在減緩晶格應(yīng)變弛豫速率的時間、溫度、Eh和pH條件下生產(chǎn)活化化合物。因此,提供了由式I定義的化合物:(CuFeS2)n●Cu(6)Fe(x)S(y)???I其中變量如本文所定義。還提供了制備和使用所述化合物的方法。
聲明:
“具有增強的電化學反應(yīng)性的活化半導體化合物及其相關(guān)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)