本發(fā)明涉及一種濕法提純
多晶硅的方法。首先將多晶硅破碎至44-147微米的微粒,在堿性條件下,加熱攪拌反應(yīng),去除油污等雜質(zhì);再通過(guò)HCl,聚乙二醇的保護(hù)和絡(luò)合作用,去除大部分的金屬雜質(zhì);再通過(guò)雙氧水或其它氧化劑,氧化硅料和硅中的雜質(zhì);再加入HCl,HF及聚乙二醇的保護(hù)和絡(luò)合作用,去除包括B、P及大部分的金屬雜質(zhì);然后在通過(guò)離心固液分離,真空干燥后得到成品。獲得的技術(shù)指標(biāo)B含量從3ppmw降至≤0.91ppmw,P含量從3ppmw降至≤0.82ppmw,TM含量從300ppmw降至≤50ppmw。
聲明:
“濕法提純多晶硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)