本實(shí)用新型提供一種PSET電解沉降設(shè)備,包括:電解槽,所述電解槽內(nèi)部設(shè)置第一隔板和第二隔板,其中第一隔板和第二隔板將電解槽分為第一腔室、第二腔室和第三腔室,其中第一腔室的上端設(shè)置溶液入口,第二腔室的上端設(shè)置氣體出口,第三腔室的下側(cè)設(shè)置溶液出口,所述第一腔室內(nèi)部設(shè)置固定夾具,所述固定夾具上固定安裝陽(yáng)極板和陰極板,所述陽(yáng)極板通過(guò)電纜與電解槽外部的電源模塊的正極連接,所述陰極板與電源模塊的負(fù)極連接,其中電源模塊與陽(yáng)極板之間還設(shè)置電流表和電壓表;所述氣體出口連接通過(guò)
真空泵與酸霧吸收池連接,所述溶液出口連接循環(huán)泵,所述循環(huán)泵的輸出端通過(guò)循環(huán)管路與溶液入口連接。本實(shí)用新型電解純度高,可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制,保護(hù)環(huán)境。
聲明:
“PSET電解沉降設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)