本發(fā)明提供一種用于UMG-Si提純的過程控制方法,其執(zhí)行熔化UMG-Si的定向固化以形成硅錠。所述錠被分割為多個塊,并映射每個硅塊的電阻率分布?;陔娮杪视成洌嬎阌糜谌コㄏ蚬袒^程中濃縮和捕捉在錠中的雜質(zhì)的剪切線。然后,通過沿著塊的計算的剪切線剪切每個塊,去除濃縮的雜質(zhì)。
聲明:
“升級冶金級硅材料提純的過程控制” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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