本發(fā)明的一種實施方式提供一種異質(zhì)結(jié)
太陽能電池。所述太陽能
電池包括:冶金級硅(MG-Si)襯底;位于冶金級硅(MG-Si)襯底之上的重摻雜晶體硅層;位于重摻雜晶體硅層之上的輕摻雜晶體硅層;位于MG-Si襯底背側(cè)上的背側(cè)歐姆接觸層;位于重摻雜晶體硅層之上的鈍化層;位于鈍化層之上的重摻雜非晶硅(a-Si)層;位于重摻雜a-Si層之上的透明導電氧化物(TCO)層;以及位于TCO層之上的前歐姆接觸電極。
聲明:
“在冶金級Si襯底上基于外延晶體硅薄膜的太陽能異質(zhì)結(jié)電池設計” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)