本發(fā)明公開一種采用冶金法
多晶硅摻鎵制作高效多晶硅片的方法,包括如下步驟:(1)在坩堝內(nèi)壁上涂敷氮化硅涂層;(2)在坩堝內(nèi)裝入冶金法多晶硅料、化學(xué)法多晶硅料和鎵摻雜劑,形成混合物;(3)將裝有混合物的坩堝放入鑄錠爐中,抽真空,加熱,使混合物按照從上到下的順序逐漸熔化;(4)進入長晶階段后,調(diào)節(jié)鑄錠爐中控溫?zé)犭娕嫉臏囟群蛡?cè)部隔熱籠向上移動的速率,使熱量向下輻射,從而使熔硅形成豎直向上的溫度梯度而自下向上生長;(5)退火、冷卻,即可得到摻鎵冶金法多晶硅錠。實驗證明:本發(fā)明的多晶硅錠少子壽命較高,位錯密度低,成本較低。
聲明:
“采用冶金法多晶硅摻鎵制作高效多晶硅片的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)