本發(fā)明涉及制造
太陽能電池的擴散工藝,尤其是冶金級
多晶硅太陽能電池磷擴散工藝,該工藝首先進行高溫晶界吸雜,利用高溫使雜質(zhì)原子在原沉淀處釋放,同時擴散并移動至晶界缺陷處沉積,在晶界附近形成潔凈區(qū);其次進行中低溫磷沉積,在中低擴散溫下短時間進行淡磷擴散沉積,完成表面低濃度磷沉積,為下步長時間高溫驅(qū)入做準(zhǔn)備;然后進行高溫深結(jié)晶界擴散鈍化,在高溫長時間磷源驅(qū)入,形成晶界處的深PN結(jié),使磷在晶界面處會產(chǎn)生磷吸雜及磷漂移場鈍化;最后再進行擴散,調(diào)整至所需要的方塊電阻值。本發(fā)明利用雜質(zhì)在多晶硅中擴散的一些特性,可以大大降低本會發(fā)生在晶界處的少子復(fù)合,工藝完成后硅片少子壽命較正常工藝生產(chǎn)硅片的少子壽命有所提升,對最后電池性能有積極作用。
聲明:
“冶金級多晶硅太陽能電池磷擴散工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)