一種改善冶金法
多晶硅生長界面的方法，包括：(1)將多晶硅硅料裝入高純石英坩堝放入定向凝固爐中，抽真空至爐內(nèi)真空度< 10Pa；(2)將爐溫升至1450?1550℃，熔化硅料；(3)對硅料外場處理，磁強0.15?0.5T，10?30?min；隨后爐體以5?10℃/min降溫，爐體運動部分以5?10?mm/h下移，硅熔體脫離加熱器長晶，1100?1200℃時關閉磁場；(4)長晶后，爐體運動部分以2?4mm/s上升至爐腔中初始位置，后將溫度升至1250?1350℃，保溫2?5h后冷卻，冷卻速率< 4℃/min。本發(fā)明采用外加靜態(tài)磁場來調(diào)控硅料生長過程中固液界面形態(tài)，得到平滑的固液界面，獲得了理想的柱狀晶粒組織，改善了硅錠質(zhì)量；工藝環(huán)境更友好，與企業(yè)現(xiàn)有技術兼容，適用于規(guī)模化生產(chǎn)。
聲明：
“改善冶金法多晶硅生長界面的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網(wǎng)
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2025年03月25日 ~ 27日 
