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高導(dǎo)熱電子封裝材料的粉末冶金制備方法

879   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:36:59
本發(fā)明公開(kāi)一種高導(dǎo)熱電子封裝材料的粉末冶金制備方法,采用單一粒徑的導(dǎo)熱增強(qiáng)體(R)與金屬基體(M)粉末作為原材料,二者的等效體積粒徑(DR,DM)、顆粒數(shù)目(NR,NM)同時(shí)滿(mǎn)足如下關(guān)系:(NR/NM)·(DR/DM)3=VR/(1-VR),NR/NM≤1,DR/DM≥(VR/(1-VR))1/3其中,VR為導(dǎo)熱增強(qiáng)體的體積含量,NR/NM和DR/DM分別為導(dǎo)熱增強(qiáng)體與金屬基體的顆粒數(shù)目比和顆粒粒徑比。本發(fā)明基于導(dǎo)熱增強(qiáng)體和金屬基體顆粒尺寸匹配,優(yōu)化設(shè)計(jì)和制備的材料比未進(jìn)行粉末顆粒尺寸匹配時(shí)的材料熱導(dǎo)率提高6~25%,而生產(chǎn)成本卻并未增加。
聲明:
“高導(dǎo)熱電子封裝材料的粉末冶金制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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