濺射靶包括具有通過密實化鉭粉末形成的鉭晶粒的鉭本體和濺射面。所述濺射面具有用于將鉭原子輸送遠離濺射面以對基底進行鍍覆的原子輸送方向。所述鉭晶粒在遠離濺射面的原子輸送方向上具有至少為40%的(222)晶向的取向比率和小于15%的(110)晶向的取向比率,用于增強濺射均勻度,所述鉭本體沒有可采用電子背散射衍射法而檢測到的(200)-(222)晶向條帶并且其中所述濺射靶的純度至少達到99.99%。
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“織構化晶粒粉末冶金鉭濺射靶” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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