一種物理除磷制備
多晶硅的方法及設(shè)備,公布了一種使用物理方法降低冶金級(jí)硅中磷含量的方法和設(shè)備。該方法主要利用磷的物理特性,經(jīng)過將冶金級(jí)硅在特定的環(huán)境下將磷去除,使其達(dá)到太陽能級(jí)硅的要求,同時(shí)設(shè)計(jì)出了一種帶微孔攪拌托盤的與上述方法配套使用的設(shè)備。本發(fā)明過程簡(jiǎn)單,效率高,且節(jié)能環(huán)保,適合推廣使用。
聲明:
“物理除磷制備多晶硅的方法及設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)