本發(fā)明公開(kāi)了一種50A大電流快恢復(fù)二極管的制作方法,包括:提供N型半導(dǎo)體硅材料作為半導(dǎo)體襯底;在N型半導(dǎo)體襯底上摻雜N+型雜質(zhì);去除半導(dǎo)體襯底一面的N+型雜質(zhì)層;在暴露出的N-型
半導(dǎo)體材料上再雙雜質(zhì)摻雜P+型雜質(zhì);再采用高溫?cái)U(kuò)散的方法進(jìn)行重金屬鉑摻雜;進(jìn)行第一次掩膜光刻;在鈍化槽中刮涂玻璃粉,高溫?zé)Y(jié)成型,完成PN結(jié)玻璃鈍化;采用真空濺射法,在硅片兩面制作多層金屬化層;進(jìn)行第二次掩膜光刻;將硅片分割成獨(dú)立的管芯;將
芯片與引線組件冶金鍵合在一起;采用燒結(jié)的方法將芯片、引線組件與管座冶金鍵合在一起;采用
儲(chǔ)能焊,將管帽與底座封焊成型。本發(fā)明受環(huán)境影響小,工藝成熟、穩(wěn)定、重復(fù)性好,可廣泛用于大電流恢復(fù)二極管的大批量生產(chǎn)。
聲明:
“50A大電流快恢復(fù)二極管的制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)