一種形成用于包括多個(gè)硅層的
芯片堆疊的體積減少的互連的方法,該方法包括:形成多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu),導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)子集中的每個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有針對(duì)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)被轉(zhuǎn)移到其上的對(duì)應(yīng)凸塊下冶金焊盤的導(dǎo)電材料的體積,該體積被配置為使得導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的未回流直徑與對(duì)應(yīng)焊盤的直徑的比率為約三分之一比一或更??;將導(dǎo)電結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到硅層;在基本上豎直的維度上堆疊硅層,使得給定硅層上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的每個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與鄰近硅層的下側(cè)上的對(duì)應(yīng)電接觸位置對(duì)準(zhǔn);以及加熱互連,以便以冶金方式鍵合鄰近硅層的多個(gè)電接觸位置。
聲明:
“形成用于芯片堆疊的體積減少的互連的方法及其互連” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)