本發(fā)明涉及一種利用硅化鎂為原料直接捕捉CO
2低溫制備硅/碳化硅的方法。硅/碳化硅材料是近年來研究應(yīng)用較廣泛的一種新型材料,具有耐磨、耐腐蝕和耐高溫等特點(diǎn),在機(jī)械、化工和冶金等領(lǐng)域應(yīng)用較多。目前,硅/碳化硅材料的制備工藝主要有無壓液相燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、反應(yīng)燒結(jié)和先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法。上述方法的反應(yīng)溫度均大于1500℃,能耗大、成本高昂。本文提供了一種利用硅化鎂為原料直接捕捉CO
2低溫制備硅/碳化硅的方法,該方法在300℃就能發(fā)生反應(yīng)。同時(shí)也捕捉了CO
2氣體,緩解了溫室效應(yīng)。
聲明:
“低溫制備硅/碳化硅材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)