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MoSi2/Mo復合粉體及Mo-Si-B復合材料的制備方法

673 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 14:46:01

本發(fā)明屬于高新材料制備領域,具體公開一種MoSi2/Mo復合粉體及Mo-Si-B復合材料的制備方法。(1)根據(jù)所要求包裹層Mo的厚度,選定合適粒度的待處理粉體MoSi2,其原則為粉體MoSi2的粒度為包裹層Mo厚度的3~5倍,粒度和厚度單位均為微米;(2)真空處理粉體MoSi2:真空度為10-2~10-4Pa,處理溫度為1400~1600℃,處理時間由公式h=Kt1/2確定,其中h--包裹層Mo厚度,單位為微米,K--與材料性質(zhì)、處理溫度有關的常數(shù),t為處理時間,單位為小時;(3)將處理過的粉體,通過粉末冶金的方法制備Mo-Si-B復合材料。本發(fā)明方法可以實現(xiàn)復合材料中第二相含量的控制,避免復合材料中第二相的偏析,可以實現(xiàn)復合材料組織結(jié)構(gòu)的最優(yōu)化,從而來改善復合材料的綜合性能。

聲明：

“MoSi2/Mo復合粉體及Mo-Si-B復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)