本發(fā)明公開(kāi)了一種制造
太陽(yáng)能電池的磷擴(kuò)散方法,其特征在于,包括如下步驟:(1)將待處理的單晶硅片在900~950℃氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行退火處理20~30分鐘;(2)將上述處理后的硅片在850~1050℃氯化氫氣氛下進(jìn)行氧化處理,使其表面生成厚度為10至30納米的氧化層;(3)再在850~900℃下通源磷擴(kuò)散,使得表面方塊電阻控制在40~50歐姆,結(jié)深0.2~1.0微米;(4)最后在700~750℃氮?dú)鈿夥障峦嘶鹛幚?0~60分鐘,完成單晶硅片的磷擴(kuò)散處理。本發(fā)明可以采用純度為4、5N的單晶硅作為制造太陽(yáng)能電池的材料,因而,可以利用冶金硅等純度較低的材料,極大地降低了材料成本,有利于單晶硅太陽(yáng)能電池的普及應(yīng)用。
聲明:
“制造太陽(yáng)能電池的磷擴(kuò)散方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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