一種裝置,包括具有至少一個焊料接合焊盤的集成電路(IC)封裝;具有至少一個焊料接合焊盤的管芯,其中該管芯通過管芯的至少一個焊料接合焊盤與IC封裝的至少一個焊料接合焊盤之間的至少一個焊點接合到IC封裝;以及IC封裝與管芯之間的底部填充劑材料,其中該至少一個焊點嵌入在底部填充劑材料中,并且其中該至少一個焊點包括第一冶金和第二冶金。
聲明:
“用于超高密度第一級互連的雙焊接方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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