本發(fā)明提供一種低硼
多晶硅及其制備方法,涉及冶金領域。低硼多晶硅由硼含量小于0.3ppm的碳原料和硼含量小于0.15ppm的二氧化硅原料按照質量比為1:1~3.5混合后冶煉制得。低硼多晶硅的制備方法包括:將硼含量小于0.3ppm的碳原料和硼含量小于0.15ppm的二氧化硅原料按照質量比為1:1~3.5混合后冶煉制得。低硼多晶硅由低硼碳原料和低硼二氧化硅原料制得,無需再次脫硼即滿足太陽能級多晶硅的要求。
聲明:
“低硼多晶硅及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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