本發(fā)明提供了低溫納米錫漿料的制備方法及封裝方法,制備方法包括S1制備高活性的納米錫溶膠;S3制備納米錫漿料;封裝方法包括S1在
芯片和基板上對稱制備圖形化的焊盤或過渡金屬化層;S2將制備得到的納米錫漿料附著在焊盤和過渡金屬化層表面,對準(zhǔn)堆疊形成封裝結(jié)構(gòu);S3對S2中所述封裝結(jié)構(gòu)施加壓力并進行低溫加熱,促使納米錫漿料燒結(jié)實現(xiàn)冶金互連。本發(fā)明在低溫條件下使用低熔點、低成本、高表面活性的納米錫漿料進行燒結(jié),完成與基板和芯片之間互連,無需添加貴金屬鍍層增加潤濕和結(jié)合強度,簡化生產(chǎn)工藝,降低封裝結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性和成本,且燒結(jié)后接頭具有較好導(dǎo)熱率和導(dǎo)電性能,適合應(yīng)用于電子封裝領(lǐng)域中低溫及熱敏感器件的封裝互連。
聲明:
“低溫納米錫漿料的制備方法及封裝方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)