本發(fā)明屬于覆晶封裝技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種電鑄成型于半導(dǎo)體晶片的引腳的電鑄晶圓凸塊,包括IC腳墊和電鑄成型于IC腳墊上的錫鉛凸塊;所述的錫鉛凸塊為多個(gè),厚度為0.02~0.2mm,錫鉛凸塊為100~200個(gè),凸塊間距為100~200μm;錫鉛凸塊由外而內(nèi)分為錫鉛球本體和球下冶金層;錫鉛球本體為倒置的球形,材料為錫鉛合金,錫鉛球本體的高度為50~80μm。本發(fā)明具有的有益效果為:晶圓凸塊采用錫鉛合金材料,制造成本較低;采用電鑄的方法生成晶圓凸塊,生產(chǎn)效率高,凸塊間距較穩(wěn)定地控制于150μm以下,精度高,能獲得質(zhì)量穩(wěn)定的電鑄晶圓凸塊。
聲明:
“電鑄晶圓凸塊” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)