本發(fā)明涉及一種高強度氮化硅陶瓷的低溫制備方法。其是以低熔點的Mg
2Si作為燒結(jié)助劑,采用等離子活化燒結(jié)工藝,在氮氣氣氛中,1400~1500℃溫度下燒結(jié)成氮化硅陶瓷。本方法所制備的氮化硅陶瓷致密度高于97%,抗彎強度644~1056MPa。本發(fā)明工藝簡單,原料價格低廉,制備出的氮化硅陶瓷材料致密、抗彎強度高,在導(dǎo)熱陶瓷基板以及冶金、化工領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“高強度氮化硅陶瓷的低溫制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)