2摻雜YSZ熱障涂層及其制備方法,電冶金技術(shù)"> 2摻雜YSZ熱障涂層及其制備方法,本發(fā)明公開了一種NiCrAlSi/CeO2摻雜YSZ熱障涂層及其制備方法,所述NiCrAlSi/CeO2摻雜YSZ熱障涂層,自上而下依次包括CeO2摻雜YSZ沉積層、NiCrAlSi粘結(jié)層和鎳基高溫合金層。所述制備方法包括:a、對(duì)鎳基高溫合金基體表面進(jìn)行預(yù)處理;b、利用等離子刻蝕法在基體的表面形成峰形陣列微結(jié)構(gòu);c、利用雙輝等離子表面冶金法在基體上進(jìn)行NiCrAlSi沉積;d、采用多弧等離子鍍法在NiCrAlSi沉積層上及進(jìn)行CeO2摻雜YSZ沉積,制備過">

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NiCrAlSi/CeO2摻雜YSZ熱障涂層及其制備方法

1023   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:50:16
本發(fā)明公開了一種NiCrAlSi/CeO2摻雜YSZ熱障涂層及其制備方法,所述NiCrAlSi/CeO2摻雜YSZ熱障涂層,自上而下依次包括CeO2摻雜YSZ沉積層、NiCrAlSi粘結(jié)層和鎳基高溫合金層。所述制備方法包括:a、對(duì)鎳基高溫合金基體表面進(jìn)行預(yù)處理;b、利用等離子刻蝕法在基體的表面形成峰形陣列微結(jié)構(gòu);c、利用雙輝等離子表面冶金法在基體上進(jìn)行NiCrAlSi沉積;d、采用多弧等離子鍍法在NiCrAlSi沉積層上及進(jìn)行CeO2摻雜YSZ沉積,制備過程結(jié)束后隨爐冷至室溫,斷電;e、采用真空熱壓擴(kuò)散法將CeO2摻雜YSZ陶瓷層與NiCrAlSi粘結(jié)層緊密的連接起來;f、將模具放入熱壓擴(kuò)散爐中加熱,對(duì)腔室進(jìn)行抽真空,當(dāng)真空度達(dá)到10?4~10?2Pa后加熱,達(dá)到600~700℃后開始卸壓,并隨爐冷卻,脫模取件。本發(fā)明的涂層結(jié)合強(qiáng)度高。
聲明:
“NiCrAlSi/CeO2摻雜YSZ熱障涂層及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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