本發(fā)明提供了一種低溫電子互連材料及其制備方法和低溫電子互連方法。該低溫電子互連材料是由致密顆粒層和疏松顆粒層復合而成的二元結構膜層材料。本發(fā)明還提供了上述低溫電子互連材料的制備方法。本發(fā)明還提供了一種低溫電子互連方法,其包括以下步驟:在待連接件的表面沉積制備低溫電子互連材料;將待連接件的待連接表面相互貼合,采用適當的能量輸入手段使所述低溫電子互連材料充分致密化,并與待連接件產生冶金結合,實現待連接件的低溫電子互連。本發(fā)明的低溫電子互連材料在實踐中具有優(yōu)異的低溫互連特性。
聲明:
“低溫電子互連材料及其制備方法和低溫電子互連方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)