用于再利用例如來自
太陽能電池晶片或半導體器件制造中的高純硅的剩余物或其它殘留Si的方法,特征在于,來自晶片生產過程或半導體器件的干燥的切屑、碎片和/或其它殘留Si與冶金級硅一起用作生產四氯化硅(SiCl4)的直接氯化反應器(1)中的原料。不論其尺寸如何,未反應的切屑或其它排出反應區(qū)的未反應的小顆粒重復返回反應器用于進一步氯化。除反應器(1)外,方法中所包括的設備可包括用于混合和儲存Si原料/切屑的儲存和混合裝置(2)、用于分離和回收從反應器的反應區(qū)排出并通過返回進料裝置(9)被送回反應器的反應區(qū)的含硅顆粒的回收裝置(3)、在其中從反應器的反應區(qū)和回收裝置排出的最小尺寸的顆粒被在具有液態(tài)SiCl4的漿液中收集的冷凝單元(10)、和向其中加入額外的來自晶片生產過程或半導體器件的切屑、碎片和其它殘留Si并與隨后被直接加入反應器的反應區(qū)用于冷卻和控溫的已有的SiCl4/Si漿液混合的混合單元(13)。
聲明：
“再循環(huán)高純硅金屬的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網(wǎng)
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2025年03月28日 ~ 30日 
