本發(fā)明公開(kāi)了一種PCBM受體增強(qiáng)型量子點(diǎn)光電探測(cè)單元及其制備方法和探測(cè)器,涉及光電探測(cè)器領(lǐng)域,所述光電探測(cè)單元包括底柵電極,所述底柵電極上設(shè)置介質(zhì)層,所述介質(zhì)層的上表面設(shè)置有金屬電極,所述金屬電極旁側(cè)的介質(zhì)層上表面上設(shè)置有單層
石墨烯,且單層石墨烯與金屬電極相連接,所述單層石墨烯上覆蓋有量子點(diǎn)—PCBM雜化薄膜,所述量子點(diǎn)—PCBM雜化薄膜由FaPbBr
3量子點(diǎn)材料和PCBM混合而成。本發(fā)明采用量子點(diǎn)?PCBM雜化薄膜作為感光材料來(lái)顯著提升光電探測(cè)器的響應(yīng),從而解決了現(xiàn)有基于
鈣鈦礦量子點(diǎn)?石墨烯的超高響應(yīng)光電探測(cè)器因光電轉(zhuǎn)換效率低能不能應(yīng)用的技術(shù)問(wèn)題。
聲明:
“PCBM受體增強(qiáng)型量子點(diǎn)光電探測(cè)單元及其制備方法和探測(cè)器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)