本發(fā)明涉及一種利用熱等離子法制備球形納米硅的方法,屬于硅冶金及材料制備技術(shù)領(lǐng)域。先將工業(yè)級(jí)氣體或混合氣通入等離子體發(fā)生器,引弧得到熱等離子體,將微米級(jí)含硅粉料通過(guò)載氣進(jìn)入熱等離子高溫區(qū)域得到氣態(tài)硅原子及其他氣態(tài)粒子,氣態(tài)硅原子及其他氣態(tài)粒子在急速冷卻過(guò)程中得到納米顆粒尺寸為1~100nm球形形貌納米硅,其中微米級(jí)含硅粉料為微米級(jí)硅粉、氧化硅粉、氮化硅粉或碳化硅粉。本方法采用硅粉、氧化硅粉、氮化硅粉、碳化硅粉含硅粉料作為原料,相較現(xiàn)有技術(shù)中以成本較高的
硅烷為主要含硅原料,本發(fā)明所用原料成本更低、工藝安全性更高等優(yōu)勢(shì)。
聲明:
“利用熱等離子法制備球形納米硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)