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高純碳化硅原料的制備方法

960   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:51:19
本發(fā)明提供一種高純碳化硅原料的制備方法,所述方法包括如下步驟:提供高純硅粉和高純碳粉;所述高純硅粉和高純碳粉充分混合后放置于坩堝,于1400-2200℃的高溫爐中形成一次碳化硅料,所述一次碳化硅料壓碎后在氧化爐中經(jīng)過600-1400℃的高溫氧化,形成二次碳化硅料;所述二次碳化硅料在高真空爐中經(jīng)過800-1600℃高溫真空脫氣,形成三次碳化硅料;所述三次碳化硅料經(jīng)過濕法化學(xué)冶金處理,得到高純碳化硅原料。
聲明:
“高純碳化硅原料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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