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基于二維材料與氮化鎵薄膜雙異質結的光電探測器及其制備方法

1161 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-02-28 01:00:08

本發(fā)明涉及光電探測領域，公開了一種基于二維材料與氮化鎵薄膜雙異質結的光電探測器，包括襯底、氮化鎵薄膜、鈣鈦礦層、第一金屬電極、第二金屬電極，還包括鹵素基二維材料層；所述襯底上依次為第一金屬電極、鈣鈦礦層、氮化鎵薄膜、鹵素基二維材料層、第二金屬電極；所述的鈣鈦礦層與氮化鎵薄膜形成異質結，所述的鹵素基二維材料層與氮化鎵薄膜也形成異質結；本發(fā)明提供一種基于二維材料與氮化鎵薄膜雙異質結的光電探測器，通過構建鈣鈦礦/GaN/PbI₂雙異質結結構，來加強PbI₂/GaN界面光生載流子的高效分離，使光導增益更大；本發(fā)明還提供了一種基于二維材料與氮化鎵薄膜雙異質結的光電探測器的制備方法。

聲明：

“基于二維材料與氮化鎵薄膜雙異質結的光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)