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適用于高溫環(huán)境的X射線探測器及其制備方法

967 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-02-28 01:00:08

一種適用于高溫環(huán)境的X射線探測器及其制備方法，采用A₃Bi₂X₉型全無機鉍基鹵素鈣鈦礦單晶材料作為探測X射線的活性層，其中，A為Cs⁺和Rb⁺中的一種；X為I^?，Br^?和Cl^?中的一種或者多種混合；工作溫度為50?150℃。制備方法包括如下步驟，步驟1，將A₃Bi₂X₉型全無機鉍基鹵素鈣鈦礦單晶切割成需要的尺寸，其中，A為Cs⁺和Rb⁺中的一種；X為I^?，Br^?和Cl^?中的一種或者多種混合；步驟2，將切割后的A₃Bi₂X₉型鈣鈦礦單晶進行清洗和表面拋光處理；步驟3，在步驟2得到的A₃Bi₂X₉型鈣鈦礦單晶兩端蒸鍍金屬電極，得到金屬電極、A₃Bi₂X₉型鈣鈦礦單晶和金屬電極層疊的X射線探測器。A₃Bi₂X₉型全無機鉍基鹵素鈣鈦礦單晶作為適用于高溫環(huán)境的X射線探測器的活性層，高溫環(huán)境的溫度為50?150℃。

聲明：

“適用于高溫環(huán)境的X射線探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)